台股今（20）日開盤震盪走低，指數一度下挫近 300 點，以 31,584.34 點開出。市場擔憂，美國政府擬對非美國製造的記憶體產品加徵 100% 關稅，使該族群成盤面焦點。指標股南亞科（2408）、威剛（3260）、旺宏（2337）開盤一度觸跌停，華邦電（2344）也大幅下挫。
前一天收漲停的力積電（6770）開盤直接下殺逾 5%、最低來到 58.5 元，但盤中逆勢走高，終場衝上 68.2 元、再度「亮起紅燈」，創股價近四年新高，超越晶圓代工二哥聯電（2303）。
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美方放話：非美製造者「加關稅 100%」
美國商務部長盧特尼克（Howard Lutnick）日前表示，「不在美國生產的記憶體廠商未來可能面臨 100% 關稅」，目前唯一在美國生產 DRAM 晶片的公司為美光（Micron），外媒點名，台灣的 DRAM 大廠南亞科、華邦電恐受影響，衝擊今日記憶體股表現。
今早記憶體與面板族群表現疲弱，南亞科開盤觸及跌停，約半小時後略為回升，收跌 15 元；華邦電開低震盪後跌逾 9%，一度逼近跌停，最低報 105.5 元；記憶體股王群聯解除處置後股價仍大跌逾 6%。整體記憶體族群全面重挫，包括旺宏、晶豪科（3006）在內共8檔個股跌幅逾半根跌停。
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力積電盤中震盪逾10% 戲劇性再亮燈
市場傳出，美光將和力積電建立 DRAM 先進封裝的長期晶圓代工關係，美光將協助力積電精進現有利基型 DRAM 製程技術。
根據集邦科技最新 DRAM 產業調查指出，美光計畫以 18 億美元收購 PSMC 位於台灣銅鑼的廠房（不含生產設備），雙方將建立長期 DRAM 先進封裝代工合作關係，有助美光提升先進製程產能，也將增強 PSMC 成熟製程 DRAM 供應。預計至 2027 年全球 DRAM 供應將有所上修。
集邦科技表示，自 2025 年下半年起， ASIC 及 AI 推論需求帶動 HBM3e、DDR5 需求，推升整體 DRAM 利潤率，促使美光加速擴充產能。本次收購銅鑼廠包括土地、廠房及無塵室，預期美光將於 2026 至 2027 年間分批移入既有及新訂購設備，並於2027年投入量產。銅鑼一期預估可於 2027 年下半年貢獻相當於美光 2026 年第四季全球產能 10% 以上的 DRAM 產能。
集邦指出，2025 年第三季美光在全球 DRAM 營收市占率 25.7%，排名第三。自 2024 年起，AI 應用帶動 HBM、DDR5、LPDDR5X 等先進製程 DRAM 需求，美光除持續建設美國 ID1 及新加坡 HBM 後段產能外，也積極收購外部廠房，以縮短產能建置時程。
在銅鑼廠之前，美光已收購台灣友達（2409）台南廠、友達晶材的台中廠及 Glorytek 台中廠，作為晶圓測試、金屬化及 HBM TSV 用途；並規劃將部分新加坡 NAND Flash 無塵室轉用於 DRAM 金屬化。
此次銅鑼廠收購案對 PSMC 的意義在於：其現有 DRAM 產能以 25nm、38nm 製程為主，DDR4 產線容量受限。與美光簽署合作意向書後，PSMC 預計在一年內取得 1Y nm 製程授權，未來有望再獲得 1Z nm 製程授權，可提升 DDR4 產品容量，有助 PSMC保持在消費性 DRAM 市場的製程競爭力，同時擴大位元產出，又不與美光先進產品線互相競爭。
力積電盤中最低 58.5 元後急拉翻紅，最高收在漲停價 68.2 元，成交量 76,016 張居上市第五大。
